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ZXMNS3BM832TA

厂家：
  Diodes Inc.
封装：
 8-VDFN 裸露焊盘
数量：
 4077  
说明：
 MOSFET 30V N Ch UMOS/1ASch
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ZXMNS3BM832TA-8-VDFN 裸露焊盘图片

ZXMNS3BM832TA PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：5.1 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：1.5 ns
功率耗散：3 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：2.1 ns
包装形式：Reel
封装形式：MLP-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.25 Ohms
漏极连续电流：2.72 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是ZXMNS3BM832TA的详细信息，包括ZXMNS3BM832TA厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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