首页 > 电子元件分类 > 电源 > 电源管理 IC > 开关变换器、稳压器与控制器 > ZXMN3B04N8TC

ZXMN3B04N8TC

厂家：: Diodes Inc.
封装：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
数量：: 3348
说明：: MOSFET 30V N Chnl UMOS

一、本商品被浏览0次.

ZXMN3B04N8TC PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：40 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：11.5 ns
功率耗散：3 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：16.6 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.025 Ohms
漏极连续电流：8.9 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是ZXMN3B04N8TC的详细信息，包括ZXMN3B04N8TC厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：