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ZXMN10B08E6TC

厂家：: Diodes Inc. / Zetex
封装：: SOT-23-6
数量：: 2403
说明：: MOSFET 100V N-Chnl UMOS

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ZXMN10B08E6TC PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：12.1 ns
工厂包装数量：10000
上升时间：2.1 ns
功率耗散：1.1 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：2.1 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.23 Ohms
漏极连续电流：1.9 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

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