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ZXM62P03GTA

厂家：
  Diodes Inc. / Zetex
封装：
 TO-261-4，TO-261AA
数量：
 765  
说明：
 MOSFET 30V P-Chnl HDMOS
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ZXM62P03GTA-TO-261-4，TO-261AA图片

ZXM62P03GTA PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：13.9 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：6.4 ns
功率耗散：3.9 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：10.3 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-223
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.23 Ohms
漏极连续电流：- 4 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：过渡期间
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是ZXM62P03GTA的详细信息，包括ZXM62P03GTA厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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