ZXM62P03GTA

厂家:
  Diodes Inc. / Zetex
封装:
 TO-261-4,TO-261AA
数量:
 765  
说明:
 MOSFET 30V P-Chnl HDMOS
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ZXM62P03GTA PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:13.9 ns
工厂包装数量:1000
上升时间:6.4 ns
功率耗散:3.9 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:10.3 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOT-223
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.23 Ohms
漏极连续电流:- 4 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:- 30 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:过渡期间
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.

以上是ZXM62P03GTA的详细信息,包括ZXM62P03GTA厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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