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ZVNL120GTC

厂家：: Diodes Inc.
封装：: TO-261-4，TO-261AA
数量：: 5436
说明：: MOSFET P-Chnl 200V

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ZVNL120GTC PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：20 ns
工厂包装数量：4000
上升时间：8 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：12 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-223
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：10 Ohms
漏极连续电流：320 mA
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

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