点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
典型关闭延迟时间:12 ns
工厂包装数量:4000
上升时间:12 ns
功率耗散:2 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:15 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOT-223
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Dual Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.5 Ohms
漏极连续电流:1 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
以上是ZVN4206GTC的详细信息,包括ZVN4206GTC厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!