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中文参数如下:
工厂包装数量:4000
包装形式:Bulk
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:1.2 W
直流电流增益 hFE 最大值:100 at 10 mA at 1 V
集电极连续电流:- 4.5 A
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:100 at 10 mA at 1 V, 100 at 1 A at 1 V, 75 at 5 A at 1 V, 60 at 10 A at 1 V, 15 at 20 A at 1 V
增益带宽产品fT:80 MHz
最大直流电集电极电流:4.5 A
发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V
集电极—基极电压 VCBO:- 40 V
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Diodes Inc.
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