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中文参数如下:
工厂包装数量:4000
包装形式:Bulk
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:1000 mW
直流电流增益 hFE 最大值:300 at 10 mA at 10 V
集电极连续电流:- 0.5 A
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:300 at 10 mA at 10 V, 300 at 100 mA at 10 V, 250 at 300 mA at 10 V, 100 at 400 mA at 10 V
增益带宽产品fT:100 MHz
最大直流电集电极电流:0.5 A
集电极—射极饱和电压:- 200 V
发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:- 200 V
集电极—基极电压 VCBO:- 200 V
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Diodes Inc.
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