ZTX756STOB

厂家：: Diodes Inc. / Zetex
封装：: TO-92
数量：: 5859
说明：: 两极晶体管 - BJT -

一、本商品被浏览0次.

ZTX756STOB PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：1000 mW
直流电流增益 hFE 最大值：50 at 100 mA at 5 V
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：50 at 100 mA at 5 V, 40 at 10 mA at 5 V
增益带宽产品fT：30 MHz
最大直流电集电极电流：0.5 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：200 V
集电极—基极电压 VCBO：200 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Diodes Inc.

以上是ZTX756STOB的详细信息，包括ZTX756STOB厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：