ZTX749A_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-226
数量：: 5733
说明：: 两极晶体管 - BJT 35V PNP Transistor Low Saturation

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ZTX749A_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Bulk
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：1 W
直流电流增益 hFE 最大值：300
集电极连续电流：- 2 A
封装形式：TO-226
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：100
最大直流电集电极电流：2 A
集电极—射极饱和电压：- 35 V
发射极 - 基极电压 VEBO：- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 35 V
集电极—基极电压 VCBO：- 45 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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