首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 两极晶体管 - BJT > ZTX502STZ

ZTX502STZ

厂家：: Diodes Inc. / Zetex
封装：: E-Line
数量：: 4851
说明：: 两极晶体管 - BJT -

一、本商品被浏览0次.

ZTX502STZ PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Box
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：300 mW
直流电流增益 hFE 最大值：100 at 10 mA at 6V
封装形式：E-Line
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：100 at 10 mA at 6 V, 20 at 100 uA at 6 V
增益带宽产品fT：150 MHz
最大直流电集电极电流：0.5 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：35 V
集电极—基极电压 VCBO：35 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Diodes Inc.

以上是ZTX502STZ的详细信息，包括ZTX502STZ厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：