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中文参数如下:
工厂包装数量:4000
安装风格:Through Hole
最小工作温度:- 55 C
直流电流增益 hFE 最大值:25
包装形式:Bulk
封装形式:TO-92
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:350 mW
集电极连续电流:50 mA
发射极 - 基极电压 VEBO:2.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V
最大工作频率:1300 MHz
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:过渡期间
产品种类:射频双极小信号晶体管
制造商:Diodes Inc.
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