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中文参数如下:
工厂包装数量:2000
包装形式:Bulk
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:1 W
直流电流增益 hFE 最大值:270 at 10 mA at 2 V
集电极连续电流:- 4 A
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:270 at 10 mA at 2 V, 250 at 500 mA at 2 V, 200 at 2 A at 2 V, 170 at 4 A at 2 V, 90 at 10 A at 2 V
增益带宽产品fT:115 MHz
最大直流电集电极电流:4 A
集电极—射极饱和电压:- 12 V
发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:- 12 V
集电极—基极电压 VCBO:- 15 V
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Diodes Inc.
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