中文参数如下:
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:300 mW
直流电流增益 hFE 最大值:40 at 10 uA at 5 V
封装形式:E-Line
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:40 at 10 uA at 5 V, 125 at 2 mA at 5 V
增益带宽产品fT:350 MHz
最大直流电集电极电流:0.1 A
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
集电极—基极电压 VCBO:45 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Diodes Inc.
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