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中文参数如下:
工厂包装数量:4000
包装形式:Bulk
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:1 W
直流电流增益 hFE 最大值:275 at 10 mA at 10 V
集电极连续电流:3 A
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:275 at 10 mA at 10 V, 300 at 500 mA at 10 V, 250 at 1 A at 10 V, 60 at 2 A at 10 V, 30 at 3 A at 10 V
增益带宽产品fT:120 MHz
最大直流电集电极电流:3 A
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:160 V
集电极—基极电压 VCBO:200 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Diodes Inc.
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