ZDT1049TA

厂家：: Diodes Inc.
封装：: SM-8
数量：: 8154
说明：: 两极晶体管 - BJT Dual 12V NPN HighG

一、本商品被浏览0次.

ZDT1049TA PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：1000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：2.75 W
直流电流增益 hFE 最大值：250
集电极连续电流：5 A
封装形式：SM-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：250 at 10 mA at 2 V, 300 at 0.5 A at 2 V, 300 at 1 A at 2 V, 200 at 4 A at 2 V, 35 at 20 A at 2 V
增益带宽产品fT：180 MHz
最大直流电集电极电流：5 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：25 V
集电极—基极电压 VCBO：80 V
晶体管极性：NPN
配置：Dual
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Diodes Inc.

以上是ZDT1049TA的详细信息，包括ZDT1049TA厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：