VS-4EWH02FN-M3

厂家:
  Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装:
 D-PAK(TO-252AA)
数量:
 8127  
说明:
 DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK
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VS-4EWH02FN-M3-D-PAK(TO-252AA)图片

VS-4EWH02FN-M3 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装工作温度 - 结封装:D-PAK(TO-252AA)
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
安装类型:表面贴装型
不同?Vr、F 时电容:-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 μA @ 200 V
反向恢复时间 (trr):20 ns
速度:快速恢复 = 200mA(Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 4 A
电流 - 平均整流 (Io):4A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V
技术:标准
产品状态:在售
包装:-
系列:管件
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是VS-4EWH02FN-M3的详细信息,包括VS-4EWH02FN-M3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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