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VS-3C10ET07S2L-M3

厂家：
  Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装：
 TO-263AB（D2PAK）
数量：
 8762  
说明：
 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
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VS-3C10ET07S2L-M3 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：TO-263AB（D2PAK）
封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装型
不同?Vr、F 时电容：445pF @ 1V， 1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：55 μA @ 650 V
反向恢复时间 (trr)：0 ns
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 10 A
电流 - 平均整流 (Io)：10A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技术：SiC（Silicon Carbide）Schottky
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是VS-3C10ET07S2L-M3的详细信息，包括VS-3C10ET07S2L-M3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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