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中文参数如下:
输出设备:NPN Phototransistor
每芯片的通道数量:1 Channel
最大反向二极管电压:6 V
正向电流:60 mA
包装形式:Bulk
封装形式:DIP-4
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 110 C
最大功率耗散:150 mW
最大正向二极管电压:1.65 V
电流传递比:50 % to 600 %
绝缘电压:5300 Vrms
最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V
最大集电极/发射极电压:80 V
RoHS:是
产品种类:晶体管输出光电耦合器
制造商:Vishay
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