VO222AT

厂家：: Vishay Semiconductor Opto Division
封装：: 8-SOIC
数量：: 3879
说明：: OPTOISO 4KV DARL W/BASE 8SOIC

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VO222AT PDF参数资料

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中文参数如下：
：8-SOIC
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
安装类型：表面贴装型
工作温度：-40°C ~ 100°C
Vce 饱和压降（最大）：1V
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：60 mA
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：1V
电流 - 输出/通道：50mA
电压 - 输出（最大值）：30V
输出类型：有基极的达林顿晶体管
输入类型：DC
上升/下降时间（典型值）：-
接通 / 关断时间（典型值）：3μs，3μs
电流传输比（最大值）：-
电流传输比（最小值）：200% @ 1mA
电压 - 隔离：4000Vrms
通道数：1
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Vishay Semiconductor Opto Division

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