点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
工厂包装数量:100
功率耗散:4 W
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :5 S
包装形式:Tube
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通):120 m Ohms
漏极连续电流:3.5 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:45 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是VNS3NV04D-E的详细信息,包括VNS3NV04D-E厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!