VNS1NV04DPTR-E

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
数量:
 8739  
说明:
 MOSFET OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
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VNS1NV04DPTR-E-8-SOIC(0.154

VNS1NV04DPTR-E PDF参数资料

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中文参数如下:

上升时间:170 ns
功率耗散:4 W
栅极电荷 Qg:5 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :2 S
下降时间:200 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8
安装风格:SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通):250 mOhms
漏极连续电流:30 uA
汲极/源极击穿电压:45 V
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是VNS1NV04DPTR-E的详细信息,包括VNS1NV04DPTR-E厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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