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中文参数如下:
上升时间:170 ns
功率耗散:7 W
栅极电荷 Qg:5 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :2 S
下降时间:200 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOT-223
安装风格:SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通):250 mOhms
漏极连续电流:30 uA
汲极/源极击穿电压:45 V
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
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