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VNN1NV04PTR-E

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-261-4，TO-261AA
数量：
 7632  
说明：
 MOSFET 40V 1.7A OMNIFET
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VNN1NV04PTR-E-TO-261-4，TO-261AA图片

VNN1NV04PTR-E PDF参数资料

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中文参数如下：

上升时间：170 ns
功率耗散：7 W
栅极电荷 Qg：5 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：2 S
下降时间：200 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-223
安装风格：SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）：250 mOhms
漏极连续电流：30 uA
汲极/源极击穿电压：45 V
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是VNN1NV04PTR-E的详细信息，包括VNN1NV04PTR-E厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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