VND7NV04TR-E

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：: 8449
说明：: MOSFET N-Ch 42V 6A OmniFET

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VND7NV04TR-E-TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63图片

VND7NV04TR-E PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2500
上升时间：470 ns
功率耗散：60 W
栅极电荷 Qg：18 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：9 S
下降时间：350 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）：60 mOhms
漏极连续电流：30 uA
汲极/源极击穿电压：45 V
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

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