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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:430 ns
工厂包装数量:50
上升时间:240 ns
功率耗散:83 W
栅极电荷 Qg:60 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :17 S
下降时间:150 ns
包装形式:Tube
封装形式:D2PAK
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):50 mOhms
漏极连续电流:20 A
汲极/源极击穿电压:70 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
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