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中文参数如下:
工厂包装数量:50
上升时间:80 ns
功率耗散:50 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:100 ns
包装形式:Tube
封装形式:D2PAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):100 mOhms
漏极连续电流:10 A
汲极/源极击穿电压:70 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
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