V62/04651-01UE

厂家：: Texas Instruments
封装：: SOIC-8
数量：: 6183
说明：: 运算放大器 - 运放 Mil Enh Adv LinCMOS R-R Very Lo-Pwr

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V62/04651-01UE PDF参数资料

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中文参数如下：

电压增益 dB：124.61 dB
技术：LinCMOS
电源电流：0.125 mA
工厂包装数量：2500
最小工作温度：- 40 C
最小双重电源电压：+/- 1.35 V
最大双重电源电压：+/- 8 V
增益带宽生成：0.2 MHz
包装形式：Reel
最大工作温度：+ 125 C
关闭：No
转换速度：0.12 V/us
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
工作电源电压：2.7 V to 16 V, +/- 1.35 V to +/- 8 V
输入偏流（最大值）：60 pA
输入补偿电压：1.5 mV
共模抑制比（最小值）：70 dB
通道数量：2
RoHS：是
产品种类：运算放大器 - 运放
制造商：Texas Instruments

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