US5U3TR

厂家：: ROHM Semiconductor
封装：: 6-SMD（5引线），扁引线
数量：: 4791
说明：: MOSFET 2.5V Drive N-Chan + Sch Barrier Diode

一、本商品被浏览0次.

US5U3TR PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：15 ns
工厂包装数量：3000
功率耗散：1 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TUMT-5
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：240 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：1.5 A
闸/源击穿电压：12 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor

以上是US5U3TR的详细信息，包括US5U3TR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：