点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:53 毫欧 @ 3A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6A
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:8.1nC @ 4V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :835pF @ 10V
功率 - 最大:200mW
安装类型:表面贴装
以上是UPA1917TE-T1-AT的详细信息,包括UPA1917TE-T1-AT厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!