UMZ8NTR

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中文参数如下：
认证机构：
封装封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
频率 - 跃迁：180MHz，260MHz
功率 - 最大值：150mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 1mA，6V / 270 @ 10mA，2V
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA / 250mV @ 10mA，200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，12V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150mA，500mA
晶体管类型：NPN，PNP
产品状态：不适用于新设计
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Rohm Semiconductor

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