UMT18NTR

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: UMT6
数量：: 4891
说明：: PNP+PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR

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UMT18NTR PDF参数资料

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中文参数如下：
认证机构：
封装封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
频率 - 跃迁：260MHz
功率 - 最大值：150mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：270 @ 10mA，2V
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 10mA，200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：12V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA
晶体管类型：2 PNP（双）
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

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