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中文参数如下:
工作电源电压:4.5 V to 18 V
输出端数量:2
激励器数量:2
最小工作温度:- 40 C
包装形式:Tube
封装形式:SOIC-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 140 C
电源电流:5 A
电源电压-最小:4.5 V
电源电压-最大:18 V
下降时间:6 ns
上升时间:7 ns
类型:High Speed Low Side Power
产品:MOSFET Gate Drivers
RoHS:是
制造商:Texas Instruments
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