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TTA0002(Q)

厂家：
  Toshiba
封装：
 TO-3P（L）
数量：
 1449  
说明：
 两极晶体管 - BJT PNP -35A 180W 80 HFE -2V Trans
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TTA0002(Q) PDF参数资料

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中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：TO-3PL
安装类型：通孔
工作温度：150°C（TJ）
频率 - 跃迁：30MHz
功率 - 最大值：180 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 1A，5V
电流 - 集电极截止（最大值）：1μA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：2V @ 900mA，9A
电压 - 集射极击穿（最大值）：160 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：18 A
晶体管类型：PNP
产品状态：在售
包装：-
系列：散装
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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