TTA0002(Q)

厂家:
  Toshiba
封装:
 TO-3P(L)
数量:
 1449  
说明:
 两极晶体管 - BJT PNP -35A 180W 80 HFE -2V Trans
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TTA0002(Q) PDF参数资料

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中文参数如下:
供应商器件:
封装封装/外壳:TO-3PL
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
频率 - 跃迁:30MHz
功率 - 最大值:180 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):80 @ 1A,5V
电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO)
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):2V @ 900mA,9A
电压 - 集射极击穿(最大值):160 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):18 A
晶体管类型:PNP
产品状态:在售
包装:-
系列:散装
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

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