TRS8E65F,S1Q

厂家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封装：: TO-220-2L
数量：: 391
说明：: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2L

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：TO-220-2L
封装/外壳：TO-220-2
安装类型：通孔
不同?Vr、F 时电容：28pF @ 650V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：40 μA @ 650 V
反向恢复时间 (trr)：0 ns
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.6 V @ 8 A
电流 - 平均整流 (Io)：8A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技术：SiC（Silicon Carbide）Schottky
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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