TPS2811DR

厂家:
  Texas Instruments
封装:
 8-SOIC
数量:
 4757  
说明:
  功率驱动器IC Inv Dual H-S MOSFET Driver
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TPS2811DR PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:2500
输出端数量:2
激励器数量:2
最小工作温度:- 40 C
配置:Inverting
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 125 C
最大功率耗散:730 mW
电源电流:0.0002 mA
电源电压-最小:4 V
下降时间:35 ns
上升时间:35 ns
类型:High Speed
RoHS:是
产品种类: 功率驱动器IC
制造商:Texas Instruments

以上是TPS2811DR的详细信息,包括TPS2811DR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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