![PDF](/static/img/pdf.gif)
点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
封装:8-PowerVDFN
封装/外壳:8-TSON Advance(3.1x3.1)
安装类型:表面贴装型
工作温度:150°C(TJ)
同步整流器:700mW(Ta),39W(Tc)
频率 - 开关:-
电流 - 输出:600 pF @ 100 V
电压 - 输出(最大值):±20V
电压 - 输出(最小值/固定):7 nC @ 10 V
电压 - 输入(最大值):4V @ 200μA
电压 - 输入(最小值):114 毫欧 @ 3.6A,10V
输出数:10V
输出类型:7.2A(Ta)
拓扑:200 V
输出配置:MOSFET(金属氧化物)
功能:N 通道
产品状态:在售
包装:U-MOSVIII-H
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage
以上是TPN1110ENH,L1Q的详细信息,包括TPN1110ENH,L1Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!