TPC8021-H(TE12LQ,M

厂家:
  Toshiba
封装:
 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
数量:
 432  
说明:
 MOSFET MOSFET N-Ch 30V 11A
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TPC8021-H(TE12LQ,M-8-SOIC(0.173

TPC8021-H(TE12LQ,M PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:3000
上升时间:4 ns
功率耗散:1.9 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:4 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOP-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.017 Ohms
漏极连续电流:11 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba

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