TPC6503(TE85L,F,M)

厂家：: Toshiba
封装：: VS-6（2.9x2.8）
数量：: 5850
说明：: MOSFET NPN hFE 400 to 1000 VCE 0.12V tF 45ns

一、本商品被浏览0次.

TPC6503(TE85L,F,M) PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：1.6 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：400 @ 150mA，2V
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：120mV @ 10mA，500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5 A
晶体管类型：NPN
产品状态：停产
包装：U-MOSVII
系列：卷带（TR）
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TPC6503(TE85L,F,M)的详细信息，包括TPC6503(TE85L,F,M)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：