TND017SW-TL-E

厂家：: ON Semiconductor
封装：: 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
数量：: 4014
说明：: MOSFET EXPD NCH+NCH 1.5A 60V

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TND017SW-TL-E PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：1.7 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SOP-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：400 mOhms
漏极连续电流：1.5 A
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

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