中文参数如下:
工厂包装数量:1000
包装形式:Bulk
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:1 mW
封装形式:TO-226
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:30 at 0.5 mA at 4 V
最大直流电集电极电流:0.1 A
发射极 - 基极电压 VEBO:7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V
集电极—基极电压 VCBO:75 V
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor
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