TN3019A_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-226
数量：: 1814
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr

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TN3019A_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Bulk
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：1 W
直流电流增益 hFE 最大值：300
集电极连续电流：1 A
封装形式：TO-226
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：100
增益带宽产品fT：100 MHz
最大直流电集电极电流：1 A
集电极—射极饱和电压：80 V
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：80 V
集电极—基极电压 VCBO：140 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

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