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中文参数如下:
工厂包装数量:50
输出类型:DC
输出设备:NPN Phototransistor
每芯片的通道数量:1 Channel
最大反向二极管电压:5 V
最大输入二极管电流:60 mA
封装形式:PDIP-6
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 100 C
最大功率耗散:250 mW
最大集电极电流:50 mA
最大正向二极管电压:1.3 V
电流传递比:600 %
绝缘电压:4000 Vrms
最大集电极/发射极饱和电压:400 mV
最大集电极/发射极电压:55 V
输入类型:DC
制造商:Toshiba
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