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中文参数如下:
输出设备:NPN Phototransistor
每芯片的通道数量:1 Channel
最大上升时间:2 us
最大输入二极管电流:20 mA
最大下降时间:3 us
正向电流:16 mA
封装形式:PDIP-4
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 100 C
最大功率耗散:250 mW
最大集电极电流:10 mA
最大正向二极管电压:1.3 V
电流传递比:100 % to 600 %
绝缘电压:5000 Vrms
最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V
最大集电极/发射极电压:55 V
制造商:Toshiba
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