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中文参数如下：
工厂包装数量：50
输出设备：Phototransistor
每芯片的通道数量：1 Channel
最小正向二极管电压：1.45 V
绝缘电压：2500 Vrms
输入类型：DC
包装形式：Bulk
封装形式：PDIP-8
最小工作温度：- 55 C
最大工作温度：+ 100 C
最大功率耗散：100 mW
最大输入二极管电流：25 mA
最大反向二极管电压：5 V
最大正向二极管电压：1.85 V
最大波特率：1 MBps
电流传递比：30 %
RoHS：是
产品种类：高速光耦合器
制造商：Toshiba
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