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中文参数如下:
输出设备:NPN Phototransistor
每芯片的通道数量:4 Channels
正向电流:50 mA
包装形式:Bulk
封装形式:SO-16
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 110 C
最大功率耗散:100 mW
绝缘电压:2500 Vrms
最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V
最大集电极/发射极电压:80 V
RoHS:是
制造商:Toshiba
以上是TLP290-4(GB,E)的详细信息,包括TLP290-4(GB,E)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!