TLE2161ID

厂家:
  Texas Instruments
封装:
 8-SOIC
数量:
 6813  
说明:
 运算放大器 - 运放 Low Power JFET
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TLE2161ID PDF参数资料

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中文参数如下:

电压增益 dB:98.06 dB
技术:BiFET
电源电流:0.035 mA
工厂包装数量:75
最小工作温度:- 40 C
最小双重电源电压:+/- 3.5 V
最大双重电源电压:+/- 18 V
增益带宽生成:5.8 MHz
包装形式:Tube
最大工作温度:+ 85 C
关闭:No
转换速度:10 V/us
封装形式:SOIC-8
安装风格:SMD/SMT
工作电源电压:7 V to 36 V, +/- 3.5 V to +/- 18 V
输入偏流(最大值):2 nA
输入补偿电压:3.1 mV
共模抑制比(最小值):65 dB
通道数量:1
RoHS:是
产品种类:运算放大器 - 运放
制造商:Texas Instruments

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