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中文参数如下:
工厂包装数量:50
功率耗散:140 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:87 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :80 S, 40 S
包装形式:Bulk
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):5.1 mOhms
漏极连续电流:70 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
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