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TK10P60W,RVQ

厂家：: Toshiba
封装：: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：: 17846
说明：: MOSFET N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC

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TK10P60W,RVQ-TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63图片

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：75 ns
上升时间：22 ns
功率耗散：80 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：20 nC
下降时间：5.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：DPAK-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.38 Ohms
漏极连续电流：9.7 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

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