TISP61511DR-S

厂家:
  Bourns
封装:
 8-SOIC
数量:
 3087  
说明:
 SCR Dual P Gate Forward Conducting
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TISP61511DR-S-8-SOIC图片

TISP61511DR-S PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:2500
包装形式:Reel
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):0.005 mA
额定重复关闭状态电压 VDRM:100 V
RoHS:是
产品种类:SCR
制造商:Bourns

以上是TISP61511DR-S的详细信息,包括TISP61511DR-S厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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