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TISP61511DR-S

厂家：
  Bourns
封装：
 8-SOIC
数量：
 3087  
说明：
 SCR Dual P Gate Forward Conducting
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TISP61511DR-S-8-SOIC图片

TISP61511DR-S PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2500
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 mA
额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V
RoHS：是
产品种类：SCR
制造商：Bourns

以上是TISP61511DR-S的详细信息，包括TISP61511DR-S厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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