中文参数如下:
工厂包装数量:60
最小工作温度:- 40 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:1000 at 350 mA at 2 V
封装形式:SSOP-18
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 85 C
最大直流电集电极电流:0.5 A
集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V
晶体管极性:NPN
配置:Octal
RoHS:是
产品种类:达林顿晶体管
制造商:Toshiba
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